東芝セミコンダクター社の転職相談と求人情報

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イオン注入プロセス技術開発

仕事内容	■イオン注入技術開発業務 ■次世代フラッシュメモリ・ロジック向けイオン注入プロセスの開発および量産移管業務 ■新規イオン注入装置の評価・選定、および新規応用の発掘
経験・スキル	●イオン注入技術（装置、プロセス）の経験が３年以上あり、装置の使用およびトラブル対応の経験があること。 ●実験計画作成、実験データの取得、データの解析、報告の一連の作業ができること。 ●Ｓｉ半導体に関する基礎知識を有すること。 ●特許提案、学会発表、論文発表の経験あること。 ●英語能力：ＴＯＥＩＣ得点600点以上。外国人と英語で簡単なやりとりができること。
勤務地	神奈川県横浜市
求人番号	CRT4-2

ディスクリートパワーデバイス／パワーICのデバイス・プロセス開発

仕事内容	最先端パワー半導体/パワーICのデバイス・プロセス開発業務
経験・スキル	●半導体デバイス・プロセスの知識がある方 ●未知の分野に対しても、吸収力があり粘り強く目標に進んでいく人物を希望
勤務地	神奈川県川崎市/兵庫県太子町/石川県能美市
求人番号	CRT4-5

ハイパワーＩGBTの開発

仕事内容	世界最大級モータ・インバータ用ハイパワー半導体（ＩGBT）のチップ・パッケージ設計・開発・評価業務
経験・スキル	●半導体物性/材料物性〜トランジスタ動作の基本 ●熱伝導工学、材料力学、電気回路などの知識がある方 ●ＩＧＢＴの開発、製造経験のある方。
勤務地	神奈川県川崎市/兵庫県太子町/石川県能美市
求人番号	CRT4-6

光半導体チップ(LED)の開発

仕事内容	最先端の光半導体チップ(LED)の設計・結晶成長技術開発からチッププロセス開発業務までのトータル設計
経験・スキル	化合物半導体デバイス及びプロセスの知識がある方。特に光半導体に関してデバイス設計・結晶成長・プロセス開発などのいずれかに経験があり、開発意欲が高く、粘り強く目標に進んでいく人物を希望。
勤務地	神奈川県川崎市、福岡県北九州市
求人番号	CRT4-7

NANDフラッシュメモリ技術マーケティング、応用技術

仕事内容	■次世代NANDフラッシュメモリの商品企画業務 ■NANDフラッシュメモリのデバイスドライバなどユーザー使用環境のサポート業務 ■NANDフラッシュメモリ商品説明、技術説明
経験・スキル	●半導体メモリの応用技術・システム技術に関する業務経験のある方 ●マイコンシステム技術に関する知識のある方 ●ファイルシステム、デバイスドライバ技術に関する知識のある方 ●英語または中国語の語学力のある方
勤務地	神奈川県横浜市
求人番号	CRT4-8

NANDフラッシュメモリ製品の海外技術マーケティング

仕事内容	海外主要顧客との技術折衝、東芝製品の技術PR、拡販活動業務
経験・スキル	●半導体メモリ製品の海外向け営業技術経験のある方 ●半導体メモリ製品のマーケティング、営業技術経験のある方で海外で活躍してみたい方
勤務地	神奈川県横浜市（研修後、米国、欧州、韓国等の現地法人へ派遣予定）
求人番号	CRT4-9

NANDフラッシュメモリ・カード企画、コントローラ開発・評価

仕事内容	NANDフラッシュメモリを搭載したカードの規格標準化、製品企画、および搭載するカードコントローラのHW/FWの設計開発・評価業務
経験・スキル	●フラッシュメモリカードインターフェース関連業務の経験のある方 ●フラッシュメモリカードコントローラまたはホストコントローラ設計開発業務の経験のある方 ●組込みマイコンのHardware/Firmwareの開発経験のある方 ●ファイルシステム、デバイスドライバなどのPC関連技術の知識のある方 ●語学力（英語）のある方
勤務地	神奈川県横浜市
求人番号	CRT4-10

SSD(Solid State Disk)企画・応用技術、SSD用コントローラ開発・評価

仕事内容	NANDフラッシュメモリを搭載したSSDの製品企画、応用技術および搭載するコントローラのHW/FWの設計開発・評価業務
経験・スキル	●SSD/HDDインターフェース関連業務の経験のある方 ●SSDコントローラまたはホスト側コントローラ設計開発業務の経験のある方 ●組込みマイコンのHardware/Firmwareの開発経験のある方 ●ファイルシステム、デバイスドライバなどのPC関連技術の知識のある方 ●暗号、エラー訂正符号論理の技術があればさらに望ましい。 ●語学力（英語）のある方
勤務地	神奈川県横浜市
求人番号	CRT4-11

NOR型フラッシュメモリ設計評価技術開発

仕事内容	フラッシュメモリ回路設計／評価業務
経験・スキル	●フラッシュメモリ内部の電源系・アナログ系回路設計経験のある方。 ●フラッシュメモリのコントロール・ロジック系回路設計経験のある方。 ●RTL設計またはマイコン設計の経験があり、メモリ設計に興味のある方。 ●フラッシュメモリの評価経験のある方。 ●情報処理のスキル(会話ができる程度)必須
勤務地	神奈川県横浜市
求人番号	CRT4-12

NAND型フラッシュメモリ設計評価技術開発

仕事内容	フラッシュメモリ回路設計／評価業務
経験・スキル	●フラッシュメモリ内部の電源系・アナログ系回路設計経験のある方。 ●フラッシュメモリのコントロール・ロジック系回路設計経験のある方。 ●メモリ設計のCAD環境やツール立ち上げ経験のある方。 ●フラッシュメモリの評価経験のある方。 ●情報処理のスキル(会話ができる程度)必須
勤務地	神奈川県横浜市
求人番号	CRT4-13

先端NANDフラッシュメモリ開発

仕事内容	TCADを用いた先端フラッシュメモリのプロセス/デバイス設計（メモリセル、トランジスタ）
経験・スキル	●半導体プロセス/デバイス設計、または、プロセス/デバイス・シミュレーションの経験のある方。 ●物理、電磁気学の知識は必須 ●物理、特にMOS物理（トラップや絶縁膜）に詳しい方であればさらに望ましい。
勤務地	神奈川県横浜市
求人番号	CRT4-14

先端メモリ研究開発

仕事内容	先端メモリ研究開発（メモリセル、トランジスタ、デバイス構造、回路設計）業務
経験・スキル	半導体デバイスに関する知識をある程度有し、将来の新しいメモリ技術の研究開発に挑戦してみたい意欲をお持ちの方。
勤務地	神奈川県横浜市
求人番号	CRT4-15

フラッシュメモリデバイス開発（ＮＡＮＤ型・ＮＯＲ型）

仕事内容	■フラッシュメモリデバイス（メモリセル、トランジスタ、デバイス構造）設計業務 ■フラッシュメモリ製品技術（事業戦略、開発マネジメント、テスト方法や信頼性の確立）業務 ■フラッシュメモリ製品及びテストデバイス試作業務（開発ライン及び工場パイロットライン）
経験・スキル	●半導体メモリのデバイス開発、製品開発業務経験３年以上、またはフラッシュメモリ製品開発経験１年以上の方。 ●半導体デバイス開発（トランジスタ開発）を経験された方。 ●メモリ製品やテストデバイスの試作、評価を経験されている方。 ●半導体デバイスに関する専門性を有する方。
勤務地	神奈川県横浜市/三重県四日市市
求人番号	CRT4-16

NANDフラッシュメモリ・カード開発の製品技術エンジニア

仕事内容	NANDフラッシュメモリを搭載したカードの製品開発業務（製品設計、製品評価及び技術開発のマネジメント等 全般）
経験・スキル	●メモリを搭載したカード、またはカード関連の組立て技術、量産技術、および製品開発技術の経験のある方 ●今後も市場拡大が期待されるメモリカードの新製品開発に意欲のある方
勤務地	神奈川県横浜市
求人番号	CRT4-17

NAND搭載MCP製品/ＮＡＮＤフラッシュ積層製品の製品技術エンジニア

仕事内容	Stacked　ＭＣＰ/フラッシュメモリ積層製品の製品開発（製品企画、製品設計、新製品開発や技術開発のマネジメント等）
経験・スキル	●半導体パッケージ1年以上、または製品技術経験1年以上の方。 ●チームリーダとなる意欲のある方
勤務地	神奈川県横浜市
求人番号	CRT4-18

メモリ製品パッケージ開発エンジニア

仕事内容	メモリカード、薄型ﾊﾟｯｹｰｼﾞの設計・プロセス開発 全般
経験・スキル	● 半導体ﾊﾟｯｹｰｼﾞ技術関連経験者及び興味のある方 ●基板・実装関連開発、設計経験のある方 ●半導体組立材料・装置開発経験のある方 ●将来有望なﾒﾓﾘｰｶｰﾄﾞやMCPにパッケージングの夢を形にしたいという前向きな意欲のある方
勤務地	神奈川県横浜市/三重県四日市市
求人番号	CRT4-19

NANDフラッシュメモリ開発の信頼性技術エンジニア

仕事内容	NANDフラッシュメモリの製品開発業務（製品信頼性評価及び評価技術開発等）
経験・スキル	●半導体製品の信頼性技術に関する業務経験のある方 ●フラッシュメモリの評価プログラミング開発業務の経験のある方 ●今後も市場拡大が期待されるNANDフラッシュメモリ新製品開発に意欲のある方
勤務地	神奈川県横浜市
求人番号	CRT4-20